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功率MOS管可否串联使用?

      
功率MOS管可否串联使用?
        先考察一个更简单的器件-MOS电容-能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。
        同类型的不可以串接一起,MOS会被击穿,但一般会把MOS并在一起增加导通电流。
MOSFET的VGS耐压一般都会大幅度低于VDS耐压,以目前较常见的75N75为例,VDS耐压75V,电流75A,但VGS耐压只有20V。串接后,从上到下四个节点依次是上端MOS的Drain(D1),上端MOS的Source(S1),下端MOS的D2(和S1相连),下端MOS的S2,两MOS的GATE G1G2相连,G1G2给高压打开MOS的时候没什么大问题,内阻小,在DS端形成的电压也低。但关断后,即VGS1=VGS2=0V,此时MOS两端的电压和会等于你所加的系统电压,假如是120V,理论上,VDS1会等于VDS2等于60V,即两个MOS形成分压,从上到下的电势依次为D1,120V;S1,60V;D2,60V;S2,0V。而此时,G1G2等于0V,VGS1的电压就是-60V,MOS栅极会被击穿烧毁.
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