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MOS管工作原理?

      
      首先考察一个更简单的器件-MOS电容-能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(衬底),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开(图1.22A)。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body or bulk or background。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION(也可以说是物质组成上)上的差异在电介质(氧化层的上下)上产生了一个小电场。图示的器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位(是因为下面衬底是P型的空穴多,电子少,故需要从别处"抢来"电子,所以氧化物处电子少了,故GATE极带正电),P型硅负电位(相对电子多了)。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。
  
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