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功率MOS管的使用?

      
        MOSFET的VGS耐压一般都会大幅度低于VDS耐压,以目前较常见的75N75为例,VDS耐压75V,电流75A,但VGS耐压只有20V。串接后,从上到下四个节点依次是上端MOS的Drain(D1),上端MOS的Source(S1),下端MOS的D2(和S1相连),下端MOS的S2,两MOS的GATE G1G2相连,G1G2给高压打开MOS的时候没什么大问题,内阻小,在DS端形成的电压也低。但关断后,即VGS1=VGS2=0V,此时MOS两端的电压和会等于你所加的系统电压,假如是120V,理论上,VDS1会等于VDS2等于60V,即两个MOS形成分压,从上到下的电势依次为D1,120V;S1,60V;D2,60V;S2,0V。而此时,G1G2等于0V,VGS1的电压就是-60V,MOS栅极会被击穿烧毁。

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