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功率MOS管发热情况

      
 
      1.电路设计的问题,就是让功率MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是以致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。无完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增加,因此U*I也增加,损耗就意味着发热。这是设计电路的*忌讳的错误。
      2.频率太高,主要是有时过分追求体积,以致频率提高,功率MOS管上的损耗增加了,因此发热也加大了。
      3.无做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。因此ID小于*大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
      4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻无充分考虑,以致开关阻抗增加。

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