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功率MOS管的损坏机理介绍

      
 
功率MOS管在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率
功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而以致破坏的模式会引发雪崩破坏。
器件发热损坏
由超出安全区域引发发热而以致的。发热的原由分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原由:外加直流功率而以致的耗损引发的发热
直流功率原由:外加直流功率而以致的耗损引发的发热

导通电阻RDS(on)耗损(高温时RDS(on)增大,以致一定电流下,功耗增加)
由漏电流IDSS引发的耗损(和其他耗损相比极小)
瞬态功率原由:外加单触发脉冲

负载短路
开关耗损(接通、断开) *(与温度和工作频率是相关的)
内置二极管的trr耗损(上下桥臂短路耗损)(与温度和工作频率是相关的)
器件正常运行时不发生的负载短路等引发的过电流,造成瞬时局部发热而以致破坏。另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度以致热击穿的破坏。

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