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功率MOS场效应管的雪崩电流

      
 
      雪崩电流在功率MOS管的数据表中表示为IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在调试过程中,选取一定的电感值,然后将电流增大,也就是功率MOS管开通的时间增加,然后关断,直到功率MOSFET损坏,对应的最大电流值就是最大的雪崩电流。
      标称的IAV通常要将前面的调试值做70%或80%降额处理,所以它是一个可以保证的参数。一些功率MOS管供应商会对这个参数在生产线上做100%全部检测,由于有降额,所以不会损坏器件。
      留意:测量雪崩能量时,功率MOS管运作在UIS非钳位开关状态下,所以功率MOSFET不是运作在放大区,而是运作在可变电阻区和截止区。所以最大的雪崩电流IAV通常小于最大的连续的漏极电流值ID。
      采用的电感值越大,雪崩电流值越小,但雪崩能量越大,生产线上需要调试时间越长,生产率越低。电感值太小,雪崩能量越小。目前低压的功率MOS管通常取0.1mH,此时,雪崩电流相对于最大的连续的漏极电流值ID有明显的改变,而且调试时间比较合适范围。

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