功率MOS管

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P沟道MOS管 N沟道MOS管

产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	20V耐压3A功率P沟道MOS管LYM2301 LYM2301	LYM2301 系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 LYM2301 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
	20V耐压N沟道3A功率MOS管LYM2302 LYM2302	LYM2302 列 N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的 DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。LYM2302 列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
	20V耐压N沟道5A功率MOS管LYM2306 MOS 2306	20V耐压N沟道5A功率MOS管LYM2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），20V耐压N沟道5A功率MOS管LYM2306采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。20V耐压N沟道5A功率MOS管LYM2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

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